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在美、日、荷达成三方协议后，国产光刻机的进度就引起了国内数亿网友的关注，到底国产光刻机已经发展到哪个阶段，这也是国内网友最关心的问题。
近日，央媒针对国产光刻机的焦点问题，发布了一篇《国产机如何突围》的文章，力挺中企！这篇报道的信息量还是相当大的，基本可以确定，国产第一台28nm浸没式光刻机预计2023年底就能交付，上海微电子的研发进度比预期更快。
从美、日、荷联盟更新了光刻机的出口管制范围的行为就能知道，打压中国芯片力度在升级，拜登的终究目标就是打“死”中国芯，打伤或打残已经无法满足拜登的野心了。最开始，老美对中国芯的限制是7nm及以上先进制程，后来又逐渐扩大至14nm先进制程，这一次，直接将封锁范围拉至28nm制程，这就有点欺人太甚了！
都知道，目前全球最先进的工艺制程已经到了3nm甚至更高，但老美为了阻止中国科技的崛起，却把中国芯封锁在28nm以外，很明显，这是违背市场发展原则的。以“先进芯片技术”为借口对中企进行打压，结果却默默的将中企“卡”在了成熟芯片技术的门外，这不是“披着羊皮的狼”吗？
值得一提的是，在美、日、荷的新协议落地后，未来中企想要采购全新的光刻机，难度就更大了。并且已经交付的光刻机设备，一旦出现技术问题或者设备故障，也很难获得ASML公司的技术支持，数百台光刻机很可能在几年后就沦为一堆“废铁”。
在这种情况下，中企唯一的希望就是自研光刻机。值得庆幸的是，上海微电子很争气，从央媒的信息来看，一旦在年底交付了首台国产28nm浸没式光刻机设备，那么中国芯片产业也能松一口气。28nm光刻机不仅能够制造28nm芯片，就上海微电子的SSA/800-10W光刻机来说，最高可以制造7nm芯片。
可以说，只要上海微电子能够成功研发28nm浸没式光刻机，中国芯的“卡脖”问题就能解决一大半，中企也能化被动为主动，不再仰人鼻息，从0到1的这一步，对于中国芯片产业的发展至关重要！所以说，现在只需要给上海微电子等国内芯片企业更多的时间和耐心，相信我们一定能够攻克。
还有一点，全世界都认为，没有一个国家能够独立生产光刻机，但中国是个例外。目前，我国已经在光刻机的各个技术、零件等环节，逐渐建立了完善的供应链，尤其在清洗、热处理以及去胶等环节，国产化率已经实现了全面提升，最高可达90%。总的来说，国产化率提升速度远超预期，一切都在往好的方向发展。
当然，光刻机的研发难度也不可忽视，我国目前在光源以及镜片等方面依然被“卡脖”很严重。但给中企3-5年的时间，相信集合整个产业的力量，中国芯能够渡过难关！对此，你怎么看呢？欢迎评论留言！
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